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        砷化鎵(GaAs)晶圓切割實例
        發布時間:2022-10-31 點擊數:677

        砷化鎵晶圓的材料特性

        砷化鎵(GaAs)是國際公認的繼“硅”之后最成熟的化合物半導體材料,具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優越特性,作為第二代半導體材料中價格昂貴的一種,被冠以“半導體貴族”之稱,是光電子和微電子工業最重要的支撐材料之一。


        砷化鎵晶圓的脆性高,與硅材料晶圓相比,在切割過程中更容易產生芯片崩裂現象,使芯片的晶體內部產生應力損傷,導致產品失效和使用性能降低。

        砷化鎵晶圓的應用

        用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點,可用于生產二極管、場效應晶體管(FET)和集成電路(IC)等,主要應用于高端軍事電子、光纖通信系統、寬帶衛星無線通信系統、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領域。


        目前,基于砷化鎵襯底的led發光芯片在市場上有大量需求。

        選刀要點

        切割砷化鎵晶圓,通常采用輪轂型電鍍劃片刀,選刀不當極易造成晶片碎裂,導致成品率偏低。用極細粒度金剛石(4800#,5000#)規格的刀片,能有效減少晶片碎裂,但切割之前需要進行修刀。

        案例實錄

        ?

        測試目的

        1、對比測試

        2、驗證切割品質



        ?

        材料情況

        切割產品

        砷化鎵外延片

        產品尺寸

        4寸

        產品厚度

        100μm

        膠膜類型

        藍膜


        ?

        修刀參數

        修刀板型號

        5000#

        尺寸規格

        75x75x1mm

        修刀速度

        8/10/15 mm/s

        修刀刀數

        3種速度各5刀



        ?

        工藝參數

        切割工藝

        單刀切透

        設備型號

        DAD322

        主軸轉速

        38K rpm

        進刀速度

        CH2:25mm/s  CH1:35mm/s

        刀片高度

        CH2:0.08mm   CH1:0.07mm


        ?

        樣刀準備


        SSTYE 5000-R-90-AAA


        ?

        樣刀規格

        刀片型號

        5000-R-90 AAA

        金剛石粒度

        5000#

        結合劑硬度

        R(硬)

        集中度

        90

        切痕寬度

        0.015-0.020


        ?

        測試結果

        1、刀痕良好,<18μm,在控制范圍內。

        2、正面崩邊<3μm。

        3、背面崩邊<15μm,在控制范圍內。

        切割效果

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